高分辨率臺(tái)式掃描電鏡中有兩種常用基本信號(hào)，分別是二次電子(SE)和背散射電子(BSE)，對(duì)于很多高分辨率臺(tái)式掃描電鏡使用者而言，二次電子可以用來(lái)表征形貌，背散射電子可以進(jìn)行原子序數(shù)表征已經(jīng)是基本的常識(shí)。然而，二次電子、背散射電子與襯度的關(guān)系并非如此簡(jiǎn)單。今天，我們就來(lái)深入的了解一下SE、BSE的細(xì)分類(lèi)型，各自的特點(diǎn)，以及它們和襯度之間的關(guān)系。
二次電子是入射電子與試樣中弱束縛價(jià)電子產(chǎn)生非彈性散射而發(fā)射的電子，一般能量小于50eV，產(chǎn)生深度在試樣表面10nm以內(nèi)。二次電子的產(chǎn)額在很大程度上取決于試樣的表面形貌，因此這也是為什么在很多情況下大家把SE圖像等同于形貌像。然而，這種說(shuō)法并不嚴(yán)謹(jǐn)。
二次電子的產(chǎn)額其實(shí)和成分也有很大的關(guān)系，尤其是在低原子序數(shù)(Z<20)時(shí)，二次電子也能夠清晰的反映出成分之間的差異。SE像不但可以區(qū)分出碳和銀的成分差異，而且相對(duì)BSE圖像來(lái)說(shuō)具有更多的形貌細(xì)節(jié)。所以，如果對(duì)于低原子序數(shù)試樣，或者原子序數(shù)差異非常大時(shí)，若要反映成分襯度，并不一定非要用BSE像，SE像有時(shí)也可獲得上佳的效果。
除了成分襯度外，SE還具有較好的電位襯度，在正電位區(qū)域SE因?yàn)槭盏轿沟卯a(chǎn)額降低，圖像偏暗，反之負(fù)電位區(qū)域SE像就會(huì)偏亮。而B(niǎo)SE因?yàn)楸旧砟芰扛撸援a(chǎn)額受電位影響小，因此BSE像的電位襯度要比SE小的多。
另外，如果遇上試樣的導(dǎo)電性不好，出現(xiàn)荷電效應(yīng)或者是局部荷電，這也可以看成是一種電位襯度。這也是當(dāng)出現(xiàn)荷電現(xiàn)象的情況下，相對(duì)SE圖像受到的影響大，BSE圖像受影響則比較小。這也是為什么在發(fā)生荷電現(xiàn)象的情況下，有時(shí)可以用BSE像代替SE像來(lái)進(jìn)行觀察。
至于通道襯度，一般來(lái)說(shuō)因?yàn)樾枰獙悠愤M(jìn)行拋光，表面非常平整，這類(lèi)樣品基本上沒(méi)有太多的形貌襯度。SE雖然也能看出不同的取向，但是相比BSE來(lái)說(shuō)則要弱很多，所以一般我們都是用BSE圖像來(lái)進(jìn)行通道襯度的觀察。
SE和襯度的關(guān)系，總結(jié)來(lái)說(shuō)就是SE的產(chǎn)額以形貌為主，成分為輔，容易受到電位的影響，取向帶來(lái)的差異遠(yuǎn)不及BSE。
在考慮具體使用高分辨率臺(tái)式掃描電鏡的哪種信號(hào)觀察樣品的時(shí)候，SE和BSE特點(diǎn)剛好互補(bǔ)，并沒(méi)有孰優(yōu)孰劣之分，需要根據(jù)實(shí)際關(guān)注點(diǎn)來(lái)選擇正確的信號(hào)進(jìn)行成像。
